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商品名稱(chēng):N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IPB60R080P7:600V,CoolMOS ? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,PG-TO263-3
概述:
IPB60R080P7——600V CoolMOS ? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS ? P6 系列的后續(xù)產(chǎn)品。它在設(shè)計(jì)過(guò)程中不斷平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ?第 7 代平臺(tái)一流的 R onxA 和固有的低柵極電荷 (Q G) 確保了其高效率。
IPB60R080P7 規(guī)格參數(shù):
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):37A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):80 毫歐 @ 11.8A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 590μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):51 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2180 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):129W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
IPB60R080P7 產(chǎn)品特性:
CoolMOS ? 7 系列
低柵極電荷
COSS中的低存儲(chǔ)能量
集成柵極電阻
IPB60R080P7 應(yīng)用:
DIN 導(dǎo)軌電源解決方案
單相串聯(lián)逆變器解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMSQ120R012M2HH
IMSQ120R012M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,12 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶(hù)提供更低的系統(tǒng)成本。…IMSQ120R040M2HH
IMSQ120R040M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,40 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶(hù)提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IMSQ120R026M2HH
IMSQ120R026M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,26 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶(hù)提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R024CM8
IPW60R024CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…IPW60R055CM8
IPW60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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