商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-16
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMSQ120R012M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,12 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比,頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局,從而減少寄生元件和雜散電感的影響,同時(shí)提供增強(qiáng)的熱管理能力。
頂部散熱Q-DPAK雙半橋封裝正引領(lǐng)散熱、能效、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
IMSQ120R012M2HH 的特點(diǎn)
VDSS = 1200 V 時(shí) Tvj = 25°C
IDDC = 89 A 時(shí) TC = 100°C
RDS(on) = 12 mΩ,VGS = 18 V,Tvj = 25°C
極低的開關(guān)損耗
過載運(yùn)行溫度可達(dá) Tvj = 200°C
短路耐受時(shí)間 2 μs
基準(zhǔn)柵極閾值電壓 4.2 V
對(duì)寄生導(dǎo)通具有抗擾性
適用于硬切換的堅(jiān)固體二極管
.XT 互聯(lián)技術(shù)
IMSQ120R012M2HH 的優(yōu)勢(shì)
更高的功率密度
支持自動(dòng)化裝配
簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度
與BSC相比具有卓越的熱性能
降低系統(tǒng)功率損耗
支持PD 2下的950 V VRMS
降低總擁有成本(TCO)或物料清單成本(BOM)
IMSQ120R012M2HH的應(yīng)用領(lǐng)域
電動(dòng)汽車充電
通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
光伏應(yīng)用
在線不間斷電源(UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
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答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMSQ120R040M2HH
IMSQ120R040M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,40 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IMSQ120R026M2HH
IMSQ120R026M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,26 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R024CM8
IPW60R024CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…IPW60R055CM8
IPW60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…IPZA60R055CM8
IPZA60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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