商品名稱:N 溝道功率 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TO247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IPW60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反向恢復(fù)電荷(Qrr)比 CFD7 低 3%,并且具有市場上最低的反向恢復(fù)時間(trr)。
IPW60R055CM8的特點(diǎn)
業(yè)界領(lǐng)先的R DS(on)*A
顯著降低損耗
卓越的換向耐受性
集成快速體二極管
.XT互聯(lián)
靜電放電(ESD)保護(hù)
IPW60R055CM8的優(yōu)勢
提升功率密度
易于使用和快速設(shè)計集成
低振鈴傾向
簡化的熱管理
簡化的產(chǎn)品組合
IPW60R055CM8的應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心、AI服務(wù)器、電信電源供應(yīng)
微型和住宅混合逆變器
便攜式和住宅能源存儲、UPS
電動汽車充電、輕型電動車輛、電動叉車
高壓固態(tài)電力分配
家用及專業(yè)工具
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…IMSQ120R012M2HH
IMSQ120R012M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,12 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計,包括工業(yè)驅(qū)動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。…IMSQ120R040M2HH
IMSQ120R040M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,40 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計,包括工業(yè)驅(qū)動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。…IMSQ120R026M2HH
IMSQ120R026M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,26 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計,包括工業(yè)驅(qū)動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R024CM8
IPW60R024CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…IPZA60R055CM8
IPZA60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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