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AIMDQ75R025M2H是（Infineon）推出的一款750V G2碳化硅MOSFET，具有高效率，高可靠性、能強力防止單極柵極驅(qū)動的寄生導通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開關拓撲中提供出色的性能。

技術(shù)規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：840 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：70A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 36.7A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 8.1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：49 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1729 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：272W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HDSOP-22

應用領域

AIMDQ75R025M2H功率器件符合汽車和工業(yè)標準。典型應用包括電動汽車充電基礎設施、電信、斷路器、固態(tài)繼電器、太陽能光伏逆變器和HV LV直流-直流轉(zhuǎn)換器。

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