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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):NTBL023N065M3S

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:ON

年份:25+

封裝:H-PSOF-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號(hào)
NTBL023N065M3S
封裝
H-PSOF-8
描述
650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

NTBL023N065M3S器件是一款碳化硅(SiC)MOSFET,設(shè)計(jì)用于快速開關(guān)應(yīng)用,提供可靠的性能??。NTBL023N065M3S 在 VGS = 18V 時(shí)具有 23mΩ 的典型 RDS(on)、超低柵極電荷 (QG(tot) = 69nC) 和低電容的高速開關(guān) (Coss = 152pF)。NTBL023N065M3S SiC MOSFET 非常適合開關(guān)模式電源 (SMPS)、太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用,為現(xiàn)代電源管理需求提供強(qiáng)大的性能。


技術(shù)參數(shù)

封裝 / 箱體:H-PSOF-8

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:77 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:32.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:69 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:312 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:9.6 ns

封裝:Reel

封裝:Cut Tape

產(chǎn)品:SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

上升時(shí)間:15 ns

系列:NTBL023N065M3S

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns

典型接通延遲時(shí)間:11 ns


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常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

    答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

ON

ON

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…

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