商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:Navitas
年份:25+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
G2R1000MT33J器件是一款3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其低導通電阻為1000mΩ,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。
基本參數(shù)
漏源電壓(Vdss)?:3300V
?連續(xù)漏極電流(Id)?:4A(在25°C時)
?驅動電壓(Vgs)?:最大±20V
?導通電阻(RdsOn)?:1000mΩ
?功率耗散(Ptot)?:74W(Tc)
?工作溫度范圍?:-55°C ~ 175°C(TJ)
?封裝形式?:TO-263-7?
G2R1000MT33J適用于多種高功率應用場景,包括但不限于:
輔助電源供應?
1500V太陽能逆變器系統(tǒng)?
工業(yè)電機(交流伺服)?
DC/DC轉換器?
不間斷電源(UPS)系統(tǒng)?
電力電子轉換器??
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
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答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
納微半導體(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,專注于開發(fā)超高效的氮化鎵半導體產(chǎn)品。 2022年1月,納微半導體宣布開設新的電動汽車 (EV) 設計中心,進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。氮化鎵功率芯片企業(yè)納微半導體宣布推出全新一代采用GaNSense技術的智能GaNFas…
NV6115-RA
NV6115-RA芯片的導阻為170mΩ,耐壓650V,支持2MHz開關頻率,采用5*6mm QFN封裝,節(jié)省面積,得益于NV6115內置驅動器,無需外置驅動器,更加節(jié)省PCB空間。GaNFast 功率集成電路將反激式、半橋、諧振等傳統(tǒng)拓撲結構的功能擴展到 MHz 以上,使突破性設計得以商業(yè)化。產(chǎn)品屬性…NV6117-RA
這款 NV6117-RA GaNFast 功率集成電路針對高頻軟開關拓撲結構進行了優(yōu)化。場效應晶體管、驅動和邏輯的單片集成創(chuàng)造了一個易于使用的 "數(shù)字輸入、電源輸出 "高性能動力總成構件,使設計人員能夠創(chuàng)建世界上速度最快、體積最小、效率最高的電源轉換器。最高的 dV/…NV6132A-RA
NV6132A-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了帶集成柵極驅動的高性能 eMode GaN FET,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。它還集成了 GaNSense? 技術,可實時、準確地檢測電壓、電流和溫度,從而進一步提高性能和穩(wěn)健性,這是任何分立氮化鎵或分立硅器件都無法實現(xiàn)的?!?/span>NV6152-RA
NV6152-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。產(chǎn)品特性GaNFast? 功率集成電路- 單片集成柵極驅動- 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)- 可編程導通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗擾度- 800 V 額定瞬態(tài)電壓-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。功能特點單片集成柵極驅動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓300 mΩ 低電阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。功能特點單片集成柵極驅動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓120 mΩ 低電阻零反向恢復…電話咨詢:86-755-83294757
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