商品名稱:AIMBG120R080M1
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AIMBG120R080M1 1200V汽車用碳化硅mosfet系列是為混合動力汽車和電動汽車的當(dāng)前和未來車載充電器和DC-DC應(yīng)用而開發(fā)的。
該碳化硅mosfet采用最先進(jìn)的英飛凌SiC溝槽技術(shù),結(jié)合.XT互連技術(shù),專門設(shè)計用于滿足汽車行業(yè)對可靠性、質(zhì)量和性能的高要求。
獨(dú)特的功能,如在1200V開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平,內(nèi)部換向證明體二極管無反向恢復(fù)損耗,與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性,保證了無障礙設(shè)計和易于控制的應(yīng)用設(shè)計。
緊湊的SMD外殼D2PAK(PG-TO263-7)使客戶生產(chǎn)設(shè)施實(shí)現(xiàn)了高度自動化,并進(jìn)一步降低了系統(tǒng)層面的成本。
特點(diǎn)概述
革命性的半導(dǎo)體材料 - 碳化硅
極低的開關(guān)損耗
無閾值的通態(tài)特性
0V的關(guān)斷柵極電壓
基準(zhǔn)的柵極閾值電壓,VGS(th)=4.5V
完全可控的dv/dt
換向穩(wěn)健的主體二極管,準(zhǔn)備用于同步整流
與溫度無關(guān)的關(guān)斷開關(guān)損耗
用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳
適用于HV爬電要求
XT互連技術(shù)可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能
優(yōu)點(diǎn)
效率提高
使得頻率更高
提高功率密度
減少冷卻工作量
減少系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本
潛在的應(yīng)用
板載充電器
DC-DC轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能雙 N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高電流能力和出色的熱性能,適用于汽車級應(yīng)用。IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飛凌生產(chǎn)的 55V N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于汽車級應(yīng)用,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)。ISC007N04NM6
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IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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