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IMZ120R350M1H是采用TO247-4封裝的1200 V、350 mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導(dǎo)體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開關(guān)相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200V級開關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復(fù)損耗、 獨立于溫度的低開關(guān)損耗以及無閾值導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

特征描述

一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗

基準高閾值電壓，Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓，簡單輕松地進行柵極驅(qū)動

柵源電壓范圍寬

損耗低且牢固的體二極管，可用于硬換向

開關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響

驅(qū)動源引腳，優(yōu)化開關(guān)性能

優(yōu)勢

最高效率

減少了冷卻工作

提高了操作頻率

增加了功率密度

降低了系統(tǒng)的復(fù)雜程度

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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