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IMW65R039M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進的溝槽半導體技術(shù)，并經(jīng)過優(yōu)化，在毫不折衷的情況下，在應用中實現(xiàn)最低損耗，并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，以提供經(jīng)濟高效的性能。

IMW65R039M1H產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：46A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 50 毫歐 @ 25A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 7.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 41 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+20V，-2V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1393 pF @ 400 V

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）：176W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝：PG-TO247-3-41  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號： IMW65R

優(yōu)勢

高性能、高可靠性和易用性

實現(xiàn)高系統(tǒng)效率

降低系統(tǒng)成本和復雜性

減小系統(tǒng)尺寸

適用于具有硬換向事件的拓撲

適用于高溫和惡劣的運行條件

實現(xiàn)雙向拓撲

潛在應用

服務(wù)器

電信系統(tǒng)

SMPS

太陽能系統(tǒng)

儲能和電池信息

UPS

電動汽車充電

電機驅(qū)動器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。