商品名稱:IMW120R140M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMW120R140M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMW120R140M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、140 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進的溝槽半導(dǎo)體工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅(Si)基開關(guān)相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200V級開關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復(fù)損耗、 獨立于溫度的低開關(guān)損耗以及無閾值導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
特征描述
一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,簡單輕松地進行柵極驅(qū)動
柵源電壓范圍寬
損耗低且牢固的體二極管,可用于硬換向
開關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響
優(yōu)勢
最高效率
減少了冷卻工作
提高了操作頻率
增加了功率密度
降低了系統(tǒng)的復(fù)雜程度
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電動汽車快速充電
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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FP75R12KT4-B16 是英飛凌推出的 IGBT 功率模塊,屬于 EconoPIM? 3 系列,采用 三相反相器配置,適用于 工業(yè)電機驅(qū)動、變頻器、UPS 電源 等高功率應(yīng)用。FP75R12KT4B16
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F3L600R10W4S7F-C22 帶有 TRENCHSTOP? IGBT7 和 CoolSiC? 肖特基二極管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK? 模塊特征? 電氣特性- VCES = 950 V- IC 標(biāo)稱 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二極管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C? 機械特性- CTI >電話咨詢:86-755-83294757
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