商品名稱:IMZA65R030M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMZA65R030M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:10000 件
IMZA65R030M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù),并經(jīng)過(guò)優(yōu)化,在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗,并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。
英飛凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,可降低源極寄生電感對(duì)門極電路的影響,從而加快開(kāi)關(guān)速度,提高效率。
IMZA65R030M1H規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :53A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) :42 毫歐 @ 29.5A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 8.8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):48 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +20V,-2V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1643 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值):197W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-3
封裝/外殼: TO-247-4
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信系統(tǒng)
SMPS
太陽(yáng)能系統(tǒng)
儲(chǔ)能和電池信息
UPS
電動(dòng)汽車充電
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能雙 N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高電流能力和出色的熱性能,適用于汽車級(jí)應(yīng)用。IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飛凌生產(chǎn)的 55V N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于汽車級(jí)應(yīng)用,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)。ISC007N04NM6
ISC007N04NM6 是N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 6 系列,采用 PG-TDSON-8 FL 封裝。IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 系列,采用 TDSON-8(PG-TDSON-8)封裝。IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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