商品名稱:IMBG65R057M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMBG65R057M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMBG65R057M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝,基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù),適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能,縮減尺寸,增強可靠性。
IMBG65R057M1H產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :39A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):74 毫歐 @ 16.7A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):28 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +23V,-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):930 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值):161W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號:IMBG65
優(yōu)勢
高性能、高可靠性且易于使用
高系統(tǒng)效率和高功率密度
降低系統(tǒng)成本和復雜度
打造成本更低、結(jié)構(gòu)更簡單且尺寸更小的系統(tǒng)
采用連續(xù)硬換向拓撲
適于高溫和惡劣的工作環(huán)境
實現(xiàn)雙向拓撲
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信
開關(guān)電源 (SMPS)
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
電動汽車充電
電機驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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