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IMBG65R163M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術，適于大功率應用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能，縮減尺寸，增強可靠性。

IMBG65R163M1H 產(chǎn)品規(guī)格

ET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：17A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 217 毫歐 @ 5.7A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：10 nC @ 18 V

Vgs（最大值）： +23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：320 pF @ 400 V

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 85W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-TO263-7-12  

封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA  

基本產(chǎn)品編號：IMBG65R

潛在應用

? 電信服務器SMPS

? UPS（不間斷電源）

? 太陽能光伏逆變器

? 電動充電基礎設施

? 儲能和電池成型

? 類阻尼放大器

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