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采用 TO-247-4 引腳封裝的 IMZA65R007M2H CoolSiC? MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計。第 2 代產(chǎn)品在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。

產(chǎn)品規(guī)格

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 20 ns

Id-連續(xù)漏極電流: 210 A

最大工作溫度: + 175 C

最小工作溫度: - 55 C

安裝風格: Through Hole

通道數(shù)量: 1 Channel

封裝 / 箱體: TO-247-4

Pd-功率耗散: 625 W

產(chǎn)品類型: SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷: 439 nC

Rds On-漏源導通電阻: 8.5 mOhms

上升時間: 41 ns

系列: 650V G2

技術(shù): SiC

商標名: CoolSiC

晶體管極性: N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 53 ns

典型接通延遲時間: 22 ns

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Vgs - 柵極-源極電壓: - 18 V, + 18 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.6 V

潛在應用

SMPS

太陽能光伏逆變器

能量存儲和電池形成

UPS

電動汽車充電

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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