商品名稱:IMBG120R090M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMBG120R090M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMBG120R090M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 90 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝,將CoolSiC技術的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術相結合,可在電機驅(qū)動、充電模塊以及工業(yè)電源等應用中實現(xiàn)最高效率和被動制冷。
特征描述
極低的開關損耗
短路能力:3 μs
dV/dt完全可控
柵極閾值電壓典型值:VGS(th) = 4.5 V
出色的抗寄生導通能力,能夠?qū)崿F(xiàn)0V關斷
牢固的體二極管,可用于硬開關
.XT互聯(lián)技術,實現(xiàn)一流的熱性能
封裝爬電距離和電氣間隙 > 6.1 mm
Sense引腳,優(yōu)化了開關性能
優(yōu)勢
提高效率
實現(xiàn)更高的工作頻率
增加功率密度
減少冷卻工作
降低系統(tǒng)復雜程度和成本
SMD封裝,無需增設散熱器,即可實現(xiàn)自然對流冷卻,因此可直接集成到PCB中
應用領域
不間斷電源(UPS)
電動汽車快速充電
工業(yè)電機驅(qū)動和控制
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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