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IQE008N03LM5CGSC是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET，屬于 OptiMOS? 5 系列。該器件具有極低的導通電阻和出色的熱性能，適用于多種高性能開關電源（SMPS）、電機驅動、服務器和通信設備。

IQE008N03LM5CGSC核心特性

極低導通電阻：在 VGS = 4.5V 時，最大導通電阻（RDS(on)）僅為 0.85 mΩ。

高雪崩能力：100% 雪崩測試，確保在過載條件下也能可靠工作。

卓越的熱性能：優(yōu)化的熱阻設計，提高系統(tǒng)效率和可靠性。

邏輯電平兼容：N 通道，邏輯電平驅動，易于與現(xiàn)有電路集成。

環(huán)保特性：無鉛鍍層，符合 RoHS 標準，且無鹵素。

IQE008N03LM5CGSC 規(guī)格參數

漏源極電壓（VDS）：最大 30V

漏極電流（ID）：最大 252A

導通電阻（RDS(on)）：在 VGS = 10V 時，最大 0.85 mΩ

柵極閾值電壓（VGS(th)）：1.2V 至 2.0V

柵極電荷（QG）：30 nC（0V 至 4.5V）

輸出電容（Coss）：1100 pF 至 1400 pF

輸入電容（Ciss）：4400 pF 至 5700 pF

封裝類型：PG-WHTFN-9

IQE008N03LM5CGSC 應用領域

開關電源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 轉換器。

電機驅動：適用于工業(yè)自動化和電動汽車。

服務器和通信設備：提供高效率和高可靠性。

電池管理系統(tǒng)：在電池管理系統(tǒng)中用于高效的充電和放電控制。

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