商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:30000 件
BSC050NE2LS 是 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 5 系列。該器件采用 PG-TDSON-8 封裝,具有 超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) 和 高電流承載能力,適用于高效率電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、服務(wù)器VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊)等應(yīng)用。
BSC050NE2LS 的特性
低導(dǎo)通電阻:4.2mΩ @ 10V VGS(最大值 5mΩ @ 30A),顯著降低功率損耗。
連續(xù)漏極電流(ID):39A(Ta) / 58A(Tc)。
峰值脈沖電流(IDRM):232A(短時(shí)脈沖)。
低柵極電荷(Qg):10.4nC @ 10V,減少開(kāi)關(guān)損耗。
上升時(shí)間 2.2ns,下降時(shí)間 2ns,適合高頻應(yīng)用。
工作溫度范圍:-55°C ~ +150°C(TJ)。
符合AEC-Q101汽車級(jí)認(rèn)證,適用于嚴(yán)苛環(huán)境。
緊湊封裝:PG-TDSON-8(5×6mm) 表面貼裝封裝,適合高密度PCB設(shè)計(jì)。
BSC050NE2LS 規(guī)格參數(shù)
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝:PG-TDSON-8(5×6mm)
通道類型:N溝道增強(qiáng)型
漏源電壓(VDS): 25V
連續(xù)漏極電流(ID): 39A(Ta) / 58A(Tc)
導(dǎo)通電阻(RDS(on)) :4.2mΩ @ 10V(典型值),5mΩ @ 10V(最大值)
柵極電荷(Qg): 10.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss): 760pF @ 12V
柵源電壓(VGS): ±20V(最大)
閾值電壓(VGS(th)): 2V @ 250μA
最大功率耗散(PD): 2.5W(Ta) / 28W(Tc)
開(kāi)關(guān)時(shí)間:上升時(shí)間 2.2ns,下降時(shí)間 2ns
工作溫度范圍: -55°C ~ +150°C(TJ)
符合標(biāo)準(zhǔn):RoHS、無(wú)鉛、AEC-Q101(汽車級(jí))
包裝方式:卷帶(Tape & Reel)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
10000
OptiMOS? 6 功率MOSFET,40V標(biāo)準(zhǔn)型,采用英飛凌最新技術(shù),封裝于SuperSO8封裝中
INFINEON
PG-TDSON-8
20000
N 通道 功率 MOSFET 25 V 33A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8-6
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IPG20N06S2L-50A 是一款高性能雙 N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高電流能力和出色的熱性能,適用于汽車級(jí)應(yīng)用。IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飛凌生產(chǎn)的 55V N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于汽車級(jí)應(yīng)用,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)。ISC007N04NM6
ISC007N04NM6 是N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 6 系列,采用 PG-TDSON-8 FL 封裝。IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 系列,采用 TDSON-8(PG-TDSON-8)封裝。IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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