商品名稱:NVMFS6H864NLT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFS6H864NLT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NVMFS6H864NLT1G 是采用5x6mm扁平引線封裝的汽車用80V、22A功率MOSFET,專為緊湊高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。可濕側(cè)面選項可用于增強光學(xué)檢測。符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET和PPAP,適合汽車應(yīng)用。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7A(Ta),22A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):29 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):9 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):431 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.5W(Ta),33W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
基本產(chǎn)品編號:NVMFS6
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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