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STF22NM60N是采用第二代 MDmesh? 技術(shù)開發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET。這種革命性的功率 MOSFET 將垂直結(jié)構(gòu)與公司的條狀布局相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)了世界上最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。因此，它適用于要求最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器。

STF22NM60N產(chǎn)品屬性

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 16 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 220 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 44 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 38 ns

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時(shí)間: 18 ns

系列: STF22NM60N

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 74 ns

典型接通延遲時(shí)間: 11 ns

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