最新資訊摘要：英飛凌第二代CoolSiC?8-234mΩ1200VSiCMOSFET采用DPAK-7L封裝，性能顯著提升，適用于各類功率變換。產(chǎn)品系列包括11個(gè)型號(hào)，特點(diǎn)包括低開(kāi)關(guān)損耗、高過(guò)載運(yùn)行溫度、抗寄生開(kāi)通等。英飛凌新品第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET DPAK-7L封裝采用DPAK-7L(TO-2…
摘要：英飛凌第二代CoolSiC?8-234mΩ1200VSiCMOSFET采用D2PAK-7L封裝，性能顯著提升，適用于各類功率變換。產(chǎn)品系列包括11個(gè)型號(hào)，特點(diǎn)包括低開(kāi)關(guān)損耗、高過(guò)載運(yùn)行溫度、抗寄生開(kāi)通等。
英飛凌新品第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiC? G2 1200V MOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。
第二代產(chǎn)品在硬開(kāi)關(guān)工況和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
? 開(kāi)關(guān)損耗極低
? 過(guò)載運(yùn)行溫度最高可達(dá)T vj =200°C
? 短路耐受時(shí)間2μs
? 標(biāo)桿性的柵極閾值電壓， VGS(th) =4.2V
? 抗寄生開(kāi)通能力強(qiáng)，可用0V柵極關(guān)斷電壓
? 用于硬換流的堅(jiān)固體二極管
? .XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
? 最低R DS(on） ，最高輸出能力
? 市場(chǎng)上最精細(xì)的產(chǎn)品系列，8-234mΩ11個(gè)型號(hào)
? 過(guò)載運(yùn)行溫度最高可達(dá)T vj =200°C
? 強(qiáng)大的短路額定值
? 雪崩穩(wěn)健性
應(yīng)用領(lǐng)域：
? 電動(dòng)汽車充電
? 組串逆變器
? 在線式UPS/工業(yè)UPS
? 通用變頻器（GPD）
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