深圳市明佳達(dá)電子電子有限公司全新原裝推出英飛凌MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS? 6 功率 MOSFET，150 V 正常電平，采用 DPAK 3 引腳封裝。IPB029N15NM6器件概述IPB029N15NM6 是英飛凌（Infineon）推出的 OptiMOS? 6 系列中的一款高性能功率 MOSFET，額定電壓為 150 V。該…
深圳市明佳達(dá)電子電子有限公司全新原裝推出英飛凌MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS? 6 功率 MOSFET，150 V 正常電平，采用 D2PAK 3 引腳封裝。
IPB029N15NM6器件概述
IPB029N15NM6 是英飛凌（Infineon）推出的 OptiMOS? 6 系列中的一款高性能功率 MOSFET，額定電壓為 150 V。該產(chǎn)品以其卓越的功率密度、低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率，成為工業(yè)電源、電動工具和汽車電子等領(lǐng)域的理想選擇。IPB029N15NM6 的設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化能效，同時(shí)降低系統(tǒng)成本，滿足現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的高性能需求。
IPB029N15NM6產(chǎn)品特點(diǎn)
低導(dǎo)通電阻：IPB029N15NM6 的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）極低，顯著減少了功率損耗，提升了整體能效。
高開關(guān)效率：通過優(yōu)化體二極管和開關(guān)特性，IPB029N15NM6 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗。
優(yōu)異的功率密度：IPB029N15NM6 采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度，適用于空間受限的應(yīng)用場景。
寬安全工作區(qū)：IPB029N15NM6 具有寬安全工作區(qū)（SOA），能夠在高電流和高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行，適用于嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境。
環(huán)保設(shè)計(jì)：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，不含鉛，滿足環(huán)保要求6。
IPB029N15NM6技術(shù)規(guī)格
額定電壓：150 V
導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：2.9 mΩ（典型值）
最大漏電流（ID）：120 A
封裝類型：TO-263（D2PAK）
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
符合標(biāo)準(zhǔn)：RoHS、AEC-Q101（車規(guī)級認(rèn)證）
IPB029N15NM6應(yīng)用領(lǐng)域
IPB029N15NM6廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
工業(yè)電源：用于開關(guān)電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動和逆變器，提升能效和可靠性。
電動工具：支持高功率密度設(shè)計(jì)，延長電池壽命并提高工具性能。
汽車電子：適用于車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)，滿足車規(guī)級要求。
可再生能源：用于太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)，優(yōu)化能源轉(zhuǎn)換效率。
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時(shí)間：2025-05-06
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