最新資訊東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新推出采用S-VSON4T封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時(shí)間。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。新型光繼電器通過提…
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新推出采用S-VSON4T封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時(shí)間。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。
新型光繼電器通過提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測(cè)器（光電二極管陣列）的設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)高效的光耦合，將導(dǎo)通時(shí)間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %，TLP3431S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。
此外，當(dāng)輸出打開時(shí)，這兩款產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻會(huì)影響信號(hào)衰減（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；當(dāng)輸出關(guān)閉時(shí)，輸出電容會(huì)影響高頻信號(hào)泄漏（兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF）。新產(chǎn)品與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相當(dāng)，確保了穩(wěn)定的信號(hào)傳輸。
新產(chǎn)品適用于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中的引腳電子應(yīng)用，可在開關(guān)信號(hào)的同時(shí)以高精度高速測(cè)量待測(cè)設(shè)備（DUT）。
新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品的VSON4封裝相比表貼面積減少了約20 %，有助于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備和其他設(shè)備的小型化。
東芝將繼續(xù)提供更多高性能產(chǎn)品，以滿足半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備對(duì)更高性能和更快速度的需求。
應(yīng)用：
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備（高速存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備、高速邏輯測(cè)試設(shè)備等）
探測(cè)卡
測(cè)量設(shè)備
特性：
高速導(dǎo)通時(shí)間：tON＝150 μs（最大值）
低導(dǎo)通電阻：
TLP3414S RON＝3 Ω（最大值）
TLP3431S RON＝1.2 Ω（最大值）
小型S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）
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時(shí)間：2025-06-07
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