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IPB095N20NM6功率MOSFET是一款N溝道正常電平MOSFET，采用PG-TO263-3封裝。它具有優(yōu)良柵極電荷 xRDS(on) 積 (FOM)、極低反向恢復電荷 (Qrr) 和低導通電阻RDS(on) 。該產品符合IEC61249?2?21規(guī)定的無鹵素要求，根據J?STD-020標準分類潮濕敏感度等級為 (MSL 1) 。IPB095N20NM6非常適合可再生能源、電機控制、音頻放大器和工業(yè)應用。

關鍵參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Ta），116A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8.7 毫歐 @ 62A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 186μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5500 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），300W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-3

應用領域

IPB095N20NM6典型應用包括工業(yè)與消費類電池管理系統(tǒng)（BMS）、可再生能源、電機控制及驅動系統(tǒng)、電源供應等。 ?

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