商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:8-HPSOF
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NTBL150N60S5H 是一款600 V,19 A的N-通道功率MOSFET,屬于(ON)SUPERFET V MOSFET FAST 系列產(chǎn)品,其在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中具有極低的開(kāi)關(guān)損耗,有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率。此外,TOLL 封裝通過(guò)提供 Kelvin Source 配置和較低的寄生源極電感,NTBL150N60S5H 提供了改進(jìn)的熱性能和出色的開(kāi)關(guān)性能。
技術(shù)規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):19A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):150 毫歐 @ 9.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.3V @ 1.8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):29.8 nC @ 9.5 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1713 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):133W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-HPSOF
目標(biāo)應(yīng)用
? 電信 / 服務(wù)器電源
? 電動(dòng)汽車(chē)充電器 / UPS / 太陽(yáng)能 / 工業(yè)電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV7754DPR2G
NCV7754DPR2G是一款汽車(chē)級(jí) 8 通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,每通道提供高達(dá) 500 mA 的驅(qū)動(dòng)能力。輸出控制通過(guò) SPI 端口進(jìn)行,可方便地報(bào)告開(kāi)路負(fù)載(或?qū)Φ囟搪罚?、過(guò)載和過(guò)溫情況的故障。此外,NCV7754DPR2G輸出的并行控制可通過(guò) INx 引腳(成對(duì))尋址。專用的跛行-原點(diǎn)模式引腳(LHI…NCV7751DQR2G
NCV7751DQR2G 器件是一款汽車(chē)門(mén)極 12 溝道低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,每溝道的驅(qū)動(dòng)能力高達(dá) 600 mA。輸出控制通過(guò) SPI 通信進(jìn)行,針對(duì)開(kāi)路負(fù)載(或接地短路)、過(guò)載和高溫條件提供方便的故障報(bào)告。此外,NCV7751DQR2G所有驅(qū)動(dòng)器都集成了用于電感負(fù)載的輸出箝位。NCV7751DQR2G 采用帶裸…NCV7750DPR2G
NCV7750DPR2G是一款汽車(chē)八溝道低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,提供高達(dá)每溝道 600 mA 的驅(qū)動(dòng)能力。輸出控制通過(guò) SPI 端口進(jìn)行,針對(duì)開(kāi)路負(fù)載(或接地短路)、過(guò)載和高溫條件提供方便的故障報(bào)告。 另外,NCV7750DPR2G輸出的并行控制可通過(guò) INx 引腳尋址。專用的跋行回家模式引腳 (LHI) 啟用…NXH600N105H7F5S2HG
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NXH500B100H7Q2F2PHG 是一個(gè)雙通道飛跨電容升壓模塊。每個(gè)通道包含兩個(gè) 1000 V、500 A IGBT 和兩個(gè) 1200 V、120 A SiC 二極管。該模塊包含一個(gè) NTC 熱敏電阻。以下是NXH500B100H7Q2F2PHG 的主要特點(diǎn)和應(yīng)用:特征? 飛跨電容升壓模塊? 1000 V 場(chǎng)截止 7 IGBT 和 1200 V Si…電話咨詢:86-755-83294757
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