商品名稱(chēng):NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:SOIC-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
S25FL512SDSMFM013是一款汽車(chē)級(jí)NOR閃存,其存儲(chǔ)密度為512MBIT,采用 PG-DSO-16 封裝形式。該存儲(chǔ)器通過(guò)四條數(shù)據(jù)線同時(shí)傳輸數(shù)據(jù),顯著提高了數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬,特別適用于內(nèi)存密集型應(yīng)用?。
S25FL512SDSMFM013主要具備以下關(guān)鍵參數(shù):
存儲(chǔ)器類(lèi)型:非易失
存儲(chǔ)器格式:閃存
技術(shù):FLASH - NOR
存儲(chǔ)容量:512Mb
存儲(chǔ)器組織:64M x 8
存儲(chǔ)器接口:SPI - 四 I/O
時(shí)鐘頻率:80 MHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):-
電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
等級(jí):汽車(chē)級(jí)
資質(zhì):AEC-Q100
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-SOIC
?應(yīng)用領(lǐng)域?
S25FL512SDSMFM013適用于需要高可靠性和長(zhǎng)壽命存儲(chǔ)的場(chǎng)合,如汽車(chē)電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等。其 AEC-Q100 資質(zhì)確保了其在汽車(chē)環(huán)境中的可靠性?。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA-24
3000
FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 256Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 24-BGA(8x6)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類(lèi)型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
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