商品名稱:SRAM 存儲器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-SOJ-36
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7S1049GE30-10VXI 是一款高性能 PowerSnooze? 靜態(tài) RAM,組織形式為 512K 字 × 8 位。該器件具有快速存取時間(10 ns)和獨特的超低功耗深度休眠模式。CY7S1049GE30-10VXI 器件的深度休眠模式電流低至 15 μA,在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項中結(jié)合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件還具有嵌入式 ECC 邏輯,可檢測和糾正訪問位置中的單位錯誤。
CY7S1049GE30-10VXI 的特點
高速
訪問時間 (tAA) = 10 ns / 15 ns
超低功耗深度休眠 (DS) 電流
IDS = 15 μA
低活動和待機(jī)電流
活動電流 ICC = 38-mA 典型值
待機(jī)電流 ISB2 = 6 mA(典型值
寬工作電壓范圍: 1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V、4.5 V 至 5.5 V
嵌入式 ECC,用于單位糾錯
錯誤指示 (ERR) 引腳用于指示 1 位錯誤檢測和糾正
1.0 V 數(shù)據(jù)保持
TTL 兼容輸入和輸出
采用無鉛 44 引腳 TSOP II 和 36 引腳(400 密耳)模制 SOJ 封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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