商品名稱(chēng):ARM微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:25+
封裝:LQFP-64
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
STM32F103RDT6 是一款高性能的 32 位微控制器,基于 ARM Cortex-M3 內(nèi)核,Arm Cortex?-M3 處理器是用于嵌入式系統(tǒng)的最新一代 Arm 處理器。它的開(kāi)發(fā)目的是提供一個(gè)低成本平臺(tái),滿足 MCU 實(shí)施的需要,減少引腳數(shù),降低功耗,同時(shí)提供出色的計(jì)算性能和先進(jìn)的系統(tǒng)中斷響應(yīng)。
Arm Cortex?-M3 32 位 RISC 處理器具有卓越的代碼效率,在通常與 8 位和 16 位器件相關(guān)的內(nèi)存大小內(nèi)提供 Arm 內(nèi)核應(yīng)有的高性能。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類(lèi):ARM微控制器 - MCU
系列: STM32F103RD
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-64
核心: ARM Cortex M3
程序存儲(chǔ)器大小: 384 kB
數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大時(shí)鐘頻率: 72 MHz
輸入/輸出端數(shù)量: 51 I/O
數(shù)據(jù) RAM 大小: 64 kB
電源電壓-最小: 2 V
電源電壓-最大: 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
數(shù)據(jù) Ram 類(lèi)型: SRAM
高度: 1.4 mm
接口類(lèi)型: CAN, I2C, SPI, USART
長(zhǎng)度: 10 mm
濕度敏感性: Yes
ADC通道數(shù)量: 16 Channel
計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量: 8 Timer
處理器系列: ARM Cortex M
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型: Flash
商標(biāo)名: STM32
寬度: 10 mm
單位重量:342.700 mg
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進(jìn)的溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),具有高效能、快速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通損耗的特點(diǎn)。其技術(shù)規(guī)格如下:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場(chǎng)截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開(kāi)關(guān)和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款I(lǐng)GBT,采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:…STGW30NC120HD
STGW30NC120HD器件是一款N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶體管。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A功率 - 最大值:220 W開(kāi)關(guān)能量:1.66…STM32G051G8U3
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