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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IRFH5215TRPBF

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PQFN-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IRFH5215TRPBF
封裝
PQFN-8
描述
采用 PQFN 5x6 封裝的 150V 單通道 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

產(chǎn)品描述

IRFH5215TRPBF 器件是一款采用 PQFN 5x6 封裝的 150V 單通道 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET。該系列針對低 RDS(on) 和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應(yīng)用,包括直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。


IRFH5215TRPBF 的規(guī)格:

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PQFN-8

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:150 V

Id-連續(xù)漏極電流:27 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

Qg-柵極電荷:21 nC

工作溫度:- 55°C 至 + 150°C

Pd-功率耗散:3.6 W

通道模式:Enhancement

封裝:Reel

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

商標(biāo):Infineon Technologies

配置:Single

下降時(shí)間:2.9 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:21 S

高度:0.83 mm

長度:6 mm


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INFINEON

INFINEON

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