商品名稱：NTMFD4C85NT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
NTMFD4C85NT1G.pdf
品牌：ON
年份：1735+
封裝：QFN
貨期：原裝現(xiàn)貨
庫(kù)存數(shù)量：39500 件
描述
MOSFET 陣列 30V 15.4A，29.7A 1.13W表面安裝8-DFN（5x6）
特征
? 共同封裝的功率級(jí)解決方案，可最大程度地減少電路板空間
? 寄生電感最小
? 優(yōu)化的設(shè)備以減少功率損耗
? 這些設(shè)備無(wú)鉛，無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑，并且符合RoHS要求合規(guī)
應(yīng)用領(lǐng)域
? DC-DC轉(zhuǎn)換器
? 系統(tǒng)電壓軌
? 負(fù)載點(diǎn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào)： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能，具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗，優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：配置：Single集電極—發(fā)射極…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢：86-755-83294757
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