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SCT2160KEHRC11是1200V，160mΩ汽車級N溝道SiC功率MOSFET晶體管，通孔，封裝為TO-247-3。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247N-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:22 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:208 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 6 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:62 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:165 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:27 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:2.4 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:25 ns

工廠包裝數(shù)量: 30

子類別:MOSFETs

晶體管類型:Automotive Power MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:67 ns

典型接通延遲時(shí)間:23 ns

零件號別名:SCT2160KEHR

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