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SCT3080KLGC11是1200V 31A的Nch SiC功率MOSFET。

器件屬性：

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：31A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 104 毫歐 @ 10A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 60 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 785 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 165W（Tc）  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型：通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247N  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號： SCT3080 

特點(diǎn)：

低導(dǎo)通電阻

開關(guān)速度快

快速的反向恢復(fù)

易于并聯(lián)

驅(qū)動簡單

無鉛鍍層；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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