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Infineon 128Mb HYPERRAM?器件是具備HyperBus? 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存儲陣列的內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似于DRAM，而外在行為則與SRAM相似。

DRAM陣列需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。HyperRAM?可在主機未進(jìn)行主動讀取或?qū)懭氪鎯ζ鲿r，從內(nèi)部實現(xiàn)DRAM陣列刷新操作。由于主機無需執(zhí)行任何刷新操作，因此，在主機看來DRAM陣列是靜態(tài)單元，可以保留數(shù)據(jù)而無需刷新。所以，HYPERRAM?被稱為偽靜態(tài)隨機存儲器 (PSRAM) 。

S70KS1283GABHA020器件規(guī)格：

系列：HyperRAM? KL

存儲器類型：易失

存儲器格式：PSRAM

技術(shù)：PSRAM（偽 SRAM）

存儲容量：128Mb

存儲器組織：16M x 8

存儲器接口：SPI - 八 I/O

時鐘頻率：200 MHz

寫周期時間 - 字，頁：35ns

訪問時間：35 ns

電壓 - 供電：1.7V ~ 2V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：24-VBGA

供應(yīng)商器件封裝：24-FBGA（6x8）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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