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功率 MOSFET IQDH88N06LM5CGSC 具有 0.86 mOhm 的低 RDS(on)，同時(shí)具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵基底面針對并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。

產(chǎn)品特性

N 溝道，邏輯電平

極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)

出色的熱阻

優(yōu)化的雙面冷卻設(shè)計(jì)

100% 通過雪崩測試

無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)

IQDH88N06LM5CGSC表面貼裝型 N 通道 60 V 42A（Ta），447A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02

產(chǎn)品規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 60 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 42A（Ta），447A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 0.86 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 2.3V @ 163μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 95 nC @ 4.5 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 14000 pF @ 30 V  

功率耗散（最大值） ：3W（Ta），333W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ） 

應(yīng)用領(lǐng)域

50 kW 至 350 kW 的充電器

低壓驅(qū)動(dòng)

電動(dòng)工具

電源

計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

• 4.我可以通過公司網(wǎng)站進(jìn)行詢價(jià)嗎？

  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。