商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1680 件
功率 MOSFET IQDH88N06LM5SC 具有 0.86 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散熱性能,便于管理功率損耗。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率高出五倍。
產(chǎn)品特性(IQDH88N06LM5SC)
最先進(jìn)的 60 V 硅技術(shù)
出色的 FOM
改進(jìn)的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
規(guī)格(IQDH88N06LM5SC)
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-WHSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 447 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 860 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 76 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 16 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 115 S
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 8 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 53 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
應(yīng)用領(lǐng)域(IQDH88N06LM5SC)
低壓驅(qū)動(dòng)
電池供電
電源
服務(wù)器電源
計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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