商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 8x8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1250 件
GS-065-018-2-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管,可實現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的理想功耗。
GS-065-018-2-L-MR——表面貼裝型 N 通道 650 V 18A(Tc) 8-PDFN(8x8)
FET 類型: N 通道
技術(shù): GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 18A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 110 毫歐 @ 5.5A,6V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 4.8mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 4 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 132 pF @ 400 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(8x8)
封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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