FF5MR20KM1HP 是 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊 2000 V、3.5 mΩ G1，采用眾所周知的 62mm 外殼設計和 M1H 芯片技術。還提供預涂熱界面材料（TIM）。
FF5MR20KM1HP 的特點
高電流密度
開關損耗低
出色的柵極氧化可靠性
堅固的集成體二極管
高宇宙射線魯棒性
高速開關模塊
對稱模塊設計
標準結構技術
FF5MR20KM1HP 的優(yōu)點
最大限度地減少冷卻工作
減少體積和尺寸
降低系統成本
提高芯片性能
FF5MR20KM1HP 的應用
AC-DC 輔助電源
儲能系統
光伏系統
固態(tài)斷路器
牽引
型號
品牌
封裝
數量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現代社會的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
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ISZ056N03LF2S是（Infineon）推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有 72 A 電流，主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現了設計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效，可提高系統的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型：N 通道技術：MOSFET…
ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是（Infineon）推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現了設計靈活性。以下是其關鍵參數：FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Ta），…
IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現了設計靈活性。以下是其核心特性：針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…
IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現了設計靈活性。該設備具有很高的能效，可提高系統的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關模式電源 (SMPS)、電機驅動器、電池供電設…
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IPT65R025CM8是一款根據超級結（SJ）原理設計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET，具有低開關和導通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性，可實現快速設計導入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術，可簡化熱管理。此外，IPT65R025CM8符合RoHS標準，且…電話咨詢：86-755-83294757
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