商品名稱：IDWD30G120C5XKSA1
數(shù)據(jù)手冊：
IDWD30G120C5XKSA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-247-2
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IDWD30G120C5XKSA1 器件是1200V CoolSiC肖特基勢壘二極管，它采用TO-247 真2腳封裝，可輕松更換現(xiàn)下通用的Si二極管。其正向電流高達30A。CoolSiC二極管設計用于太陽能逆變器、UPS、3P SMPS以及能量儲存與電機驅動應用。
產品規(guī)格：
技術：SiC（碳化硅）肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
電流 - 平均整流 (Io)：87A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.65 V @ 30 A
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
反向恢復時間 (trr)：0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：248 μA @ 1200 V
不同 Vr、F 時電容：1980pF @ 1V，1MHz
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-2
供應商器件封裝：PG-TO247-2
工作溫度 - 結：-55°C ~ 175°C
基本產品編號：IDWD30
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能雙 N 溝道功率 MOSFET，屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導通電阻、高電流能力和出色的熱性能，適用于汽車級應用。
IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飛凌生產的 55V N 溝道功率 MOSFET，屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導通電阻和高電流能力，適用于汽車級應用，符合 AEC-Q101 標準。
ISC007N04NM6
ISC007N04NM6 是N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? 6 系列，采用 PG-TDSON-8 FL 封裝。
IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? T2 系列，采用 TDSON-8（PG-TDSON-8）封裝。
IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? T2 40V 系列，采用 TO-263-7（DPak）封裝。電話咨詢：86-755-83294757
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