商品名稱:NAND 閃存
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:FBGA-63
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為多個可獨立擦除的塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時保留有效數(shù)據(jù)。
型號:AS9F38G08SA-25BIN
封裝:FBGA-63
類型:NAND 閃存存儲器
詳細描述:AS9F34G08SA-25BIN - 8Gbit(DDP),x8 位,3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器
AS9F38G08SA-25BIN - 主要規(guī)格和優(yōu)勢:
3.3V VCC
密度從 1Gb 到 8Gb
快速塊擦除時間典型值低至 3 毫秒
符合 ONFI 1.0 規(guī)范
x8 I/O 接口
可劃分為獨立的可擦除塊
- 允許保留有效數(shù)據(jù),同時擦除舊數(shù)據(jù)
可靠的長期性能
- 100,000 次編程/擦除循環(huán)--每 528 字節(jié)有 4 位 ECC
- 10 年數(shù)據(jù)保存期
采用 9.0 毫米 x 11.0 毫米 x 1.0 毫米 63 球 FBGA 封裝
可在工業(yè)(-40°C 至 +85°C)和汽車(-40°C 至 +105°C)溫度范圍內(nèi)使用
符合 RoHS 規(guī)范
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F34G08SA-25BIN
型號:AS9F34G08SA-25BIN封裝:FBGA-63類型:NAND 閃存存儲器詳細描述:AS9F34G08SA-25BIN - 4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F34G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x …AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x 8存儲器接口:并聯(lián)寫周期時間 - 字,頁:25ns,700s訪問時間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為…AS6C1616C-45TINTR
AS6C1616C-45TINTR - 16Mb(1M x 16 位)低功耗 CMOS SRAM,帶可切換 IO 選項(x16 或 x8)AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品描述:AS6C1616C-45TINTR 是一款 16,777,216 位低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器,按 16 位 1,048,576 字或 8 位 2,097,152 字組織。它采用高性能、高可靠…AS4C1G8D4A-62BCN
AS4C1G8D4A-62BCN 是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器,內(nèi)部有十六個存儲塊。DDR4 SDRAM 采用 8n 預(yù)取架構(gòu),可實現(xiàn)高速運行。AS4C1G8D4A-62BCN 的規(guī)格類型: SDRAM - DDR4 內(nèi)存大?。? Gbit 數(shù)據(jù)總線寬度:8 位 最高時鐘頻率: 1.6 GHz 封裝/外殼 FBGA-78 組織結(jié)構(gòu) 1 G x 8 電…ASFC32G31T3-51BIN
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