H5WG6HMN6QX038R
類型:DRAM
密度:16Gb
KGSD密度:64Gb
速度:3.2Gbps
封裝:4Hi
組織:x1024
電壓:1.2V
特點
? 使用硅通孔(TSV)的垂直堆疊DRAM芯片提供460GB/s帶寬的高帶寬內(nèi)存
? 針對深度學習加速器和人工智能系統(tǒng)優(yōu)化的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案
概述:
SK hynix 的 1ynm 16Gb HBM2E 是業(yè)界最快的內(nèi)存,I/O 速度達到 3.6Gbps,每秒可使用 1,024 個 I/O 處理 460GB 的數(shù)據(jù)。與之前的 HBM2 相比,新型 HBM2E 的散熱性能提高了 36%,是一款真正高效的內(nèi)存,可為您的系統(tǒng)提供強勁的性能。
散熱改進
SK hynix的 HBM2E 比 HBM2 的散熱性能提高了 36%,在相同的工作條件下,平均散熱溫度降低了 14 攝氏度。
高達 9 倍的帶寬,2 倍于一代的容量提升
與 DDR5 的 2.4GB/s 帶寬和 GDDR6 的 64GB/s 帶寬相比,HBM2E 的性能最多可提高 9 倍,每秒可處理 460GB 的數(shù)據(jù)。與 HBM2 的 8GB 核心芯片密度相比,HBM2E 通過組合 8 個 16GB DRAM 芯片實現(xiàn)了 16GB 解決方案,密度比上一代 HBM2 提高了一倍。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SK海力士前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社,2012年被SK集團收購以后正式更名為SK海力士株式會社。SK海力士致力于生產(chǎn)DRAM、NAND Flash和CIS非存儲器為主的半導體產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的半導體制造商,當前在韓國利川和清州、 中國無錫和重慶設(shè)有四個生產(chǎn)基地,并在全…
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM,主要面向智能手機、平板電腦、車載信息娛樂系統(tǒng)等移動設(shè)備。HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA115N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA113N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話咨詢:86-755-83294757
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