IXBA14N300HV - 高電壓、高增益 BIMOSFET? 單片雙極 MOS 晶體管
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 3000 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 38 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值) 2.7V @ 15V,14A
功率 - 最大值 200 W
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 62 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值 40ns/166ns
測試條件 960V,14A,20 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr) 1.4 μs
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 TO-263
產(chǎn)品特性
高電壓封裝
高阻斷電壓
反并聯(lián)二極管
低傳導(dǎo)損耗
優(yōu)勢
柵極驅(qū)動要求低
功率密度高
應(yīng)用
開關(guān)模式和諧振模式電源
不間斷電源 (UPS)
激光發(fā)生器
電容器放電電路
交流開關(guān)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅(qū)動等應(yīng)用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關(guān)能力,電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計人員提供了一種新的高價值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點和技術(shù)規(guī)格如下:特點經(jīng)過優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…電話咨詢:86-755-83294757
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