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MSCSM120DAM31CTBL1NG MOSFET電源模塊是高效轉(zhuǎn)換器，采用厚銅Si3N4 基板，可提高散熱性能。這些模塊采用薄型設(shè)計(jì)，可直接安裝到散熱片（隔離式封裝）、內(nèi)部熱敏電阻（用于溫度監(jiān)控）以及擴(kuò)展溫度范圍。反向工作電壓 (VR) 為1.2kV，柵極-源極電壓范圍 (VGS) 為-10V至25V，功率耗散 (Pd) 為310W/560W，連續(xù)漏極電流 (Id) 為 79A/150A。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：79A

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：232 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020 pF @ 1000 V

功率耗散（最大值）：310W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

應(yīng)用

●高可靠性電源系統(tǒng)

●高效交流/直流和直流/交流轉(zhuǎn)換器

●電機(jī)控制

●交流開關(guān)

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。