商品名稱:NVJD4158CT1G
品牌:ON
年份:24+
封裝:SC-88
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NVJD4158CT1G是一款互補(bǔ),小信號(hào) MOSFET,采用SC?88封裝。該器件通過 AEC-Q101 認(rèn)證且符合生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序 (PPAP) ,適用于低功率汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
配置:N 和 P 溝道
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):250mA (Ta), 880mA (Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.5 歐姆 @ 10mA,4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):20pF @ 5V
功率 - 最大值:270mW(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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