NVMFD5C680NLT1G 功率MOSFET符合AEC-Q101標準和生產件批準程序 (PPAP)，適合用于汽車應用。該MOSFET具有低導通電阻，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低總柵極電荷 (QG) 和低電容，可將驅動器損耗降到最低。這些功率MOSFET經100%雪崩測試，并具有可濕側面選項，用于增強型光學檢測。
產品屬性
技術：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 N-通道（雙）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：60V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.5A（Ta），26A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 13μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：2nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：350pF @ 25V
功率 - 最大值：3W（Ta），19W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質：AEC-Q101
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道）
基本產品編號：NVMFD5
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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