商品名稱:IXXN110N65B4H1
數(shù)據(jù)手冊:IXXN110N65B4H1.PDF
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:SOT-227B
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IXXN110N65B4H1 650V XPT? 高速溝槽 IGBT 設計用于最大限度地降低傳導和開關損耗,尤其是在硬開關應用中。高速溝槽 IGBT 針對不同的開關速度范圍(高達 60kHz)進行了優(yōu)化。此外,還提供與 IXYS 超高速 Sonic-FRD? 二極管共同封裝的器件。在 +110°C 高溫條件下,該產(chǎn)品系列器件的額定電流范圍為 30A 至 200A。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:PT
配置:單路
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):215 A
功率 - 最大值:750 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,110A
電流 - 集電極截止(最大值):50 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):3.65 nF @ 25 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝:SOT-227B
應用
● 電池充電器
● 燈鎮(zhèn)流器
● 電機驅(qū)動器
● 電源逆變器
● 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路
● 開關模式電源
● 不間斷電源 (UPS)
● 焊接機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅(qū)動等應用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開關應用設計。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力,電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結(jié)合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關應用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。其特點和技術(shù)規(guī)格如下:特點經(jīng)過優(yōu)化用于低開關損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標準封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…電話咨詢:86-755-83294757
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