商品名稱：FF1MR12KM1H
數(shù)據(jù)手冊：
FF1MR12KM1H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
FF1MR12KM1H 62 毫米 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊 1200 V、1.6 mΩ G1，采用眾所周知的 62 毫米外殼和 M1H 芯片技術(shù)。還可提供預(yù)涂熱界面材料 (TIM)。
特點
● 電氣特性
● VDSS = 1200 V
● IDN = 560 A / IDRM = 1120 A
● 高電流密度
● 開關(guān)損耗低
● 機(jī)械特性
● 4 kV AC 1 min 絕緣
應(yīng)用
● UPS 系統(tǒng)
● 太陽能應(yīng)用
● 直流/直流轉(zhuǎn)換器
● 高頻開關(guān)應(yīng)用
● 儲能系統(tǒng)
● 電動汽車直流充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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BSZ42DN25NS3G
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