商品名稱：CCB016M12GM3T
數(shù)據(jù)手冊：
CCB016M12GM3T.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
Wolfspeed WolfPACK ? GM3碳化硅電源模塊有半橋、全橋和六組（三相）配置，均可選擇預(yù)涂HoneywellTM導(dǎo)熱界面材料 (TIM)。這些模塊適合用于中等功率（10kW至100+kW）的設(shè)計，占位面積小，支持開發(fā)更緊湊、可擴展的解決方案。這些封裝是現(xiàn)有硅基模塊的引腳兼容替代品，方便隨時進行系統(tǒng)更新。與標準熱潤滑脂相比，選擇帶有預(yù)涂TIM的WolfPACK模塊可將結(jié)溫 (Tj) 降低高達40°C或?qū)㈦娏髟黾痈哌_60%。全橋配置模塊非常適合用于三級快速充電器、工業(yè)電源和儲能系統(tǒng)中的隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器。
技術(shù)特點
超低損耗
高頻運行
來自 MOSFET 的零關(guān)斷尾電流
常開、故障安全器件操作
氮化鋁陶瓷基底
可選預(yù)涂熱界面材料
應(yīng)用
直流-直流轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電器
高效轉(zhuǎn)換器/逆變器
可再生能源
智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
系統(tǒng)優(yōu)勢
實現(xiàn)緊湊、輕型系統(tǒng)
由于碳化硅的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗低，因此可提高系統(tǒng)效率
降低熱要求和系統(tǒng)成本
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗，最大限度地減少柵極振鈴…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用，如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…電話咨詢：86-755-83294757
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