商品名稱:MSCSM120TLM16C3AG
數(shù)據(jù)手冊:MSCSM120TLM16C3AG.pdf
品牌:Microchip
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
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MSCSM120TLM16C3AG SiC 功率 MOSFET,具有低 RDS(導(dǎo)通),高溫性能是SiC 肖特基二極管(CR1 和 CR2),具有零反向恢復(fù)和零正向恢復(fù),且開關(guān)行為不受溫度影響,VF 正溫度系數(shù),開爾文源,易于驅(qū)動,雜散電感低,集成度高。氮化鋁基板可提高熱性,器件在高頻工作時性能卓越,直接安裝到散熱器(隔離封裝),結(jié)殼熱阻低,電源和信號端子均可焊接,便于 PCB 安裝,外形小巧,且符合 RoHS 規(guī)范。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:4 個 N 通道(三級反相器)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):173A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):16 毫歐 @ 80A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 2mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):464nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6040pF @ 1000V
功率 - 最大值:745W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封裝:SP3F
應(yīng)用
● 不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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VSC7425XJG-02
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VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī),在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個集成電路即可設(shè)計出 26 端口交換機(jī)。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…M2GL090TS-FGG676I
M2GL090TS-FGG676I是(Microchip)推出的 IGLOO2系列FPGA ,屬于低密度現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)產(chǎn)品。該M2GL090TS-FGG676I在單芯片上集成了第四代閃存型 FPGA 結(jié)構(gòu)和高性能通信接口,具有出色的功能集成,同時擁有低功耗、高可靠性和先進(jìn)的安全措施。技術(shù)參數(shù)邏輯元件/單…M2GL090TS-FGG484I
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