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BSM300C12P3E201功率模塊是在一個封裝中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半橋SiC模塊。這類模塊能在減少開關(guān)損耗的同時高頻運行。與現(xiàn)有解決方案相比，此優(yōu)化設(shè)計減少了雜散電感。另外，為了防止發(fā)生過熱情況，還提供了集成其他熱敏電阻的E型模塊。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：300A（Tc）

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 80mA

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：15000 pF @ 10 V

功率耗散（最大值）：1360W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

供應(yīng)商器件封裝：模塊

封裝/外殼：模塊

應(yīng)用

● 感應(yīng)加熱用逆變器

● 電機驅(qū)動逆變器

● 雙向轉(zhuǎn)換器

● 太陽能逆變器

● 功率調(diào)節(jié)器

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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