商品名稱:VS-GT75YF120NT
數(shù)據(jù)手冊:VS-GT75YF120NT.pdf
品牌:VISHAY
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
VS-GT75YF120NT 1200V IGBT四單元模塊是溝槽式柵極場終止型IGBT,具有方形RBSOA。該模塊具有HEXFRED?低Qrr、低開關(guān)能量和正VCE(on) 溫度系數(shù)。該器件還采用銅基板和低雜散電感設(shè)計,設(shè)計和批準(zhǔn)用于工業(yè)市場。
規(guī)格
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:全橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):118 A
功率 - 最大值:431 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,75A
電流 - 集電極截止(最大值):100 μA
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Vishay 成立于1962,是世界最大的分立半導(dǎo)體和被動元件的制造商之一. Vishay元件用于工業(yè), 計算機(jī), 汽車, 消費(fèi), 電信, 軍事, 航空及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備中。Vishay 的全球足跡包括在中國, 亞洲其他五個國家/地區(qū), 歐洲及美洲設(shè)立的制造機(jī)構(gòu),以及在全球…
VS-GT55LA120UX
VS-GT55LA120UX是一款“低側(cè)斬波器” IGBT模塊,具有以下主要參數(shù)和特性?:IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單斬波器電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):68 A功率 - 最大值:291 W不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,50A電流…VS-GT75LA60UF
VS-GT75LA60UF - 600V、81A、231W 溝槽現(xiàn)場止動單斬波器 IGBT 模塊,底座安裝 SOT-227VS-GT75LA60UF - 產(chǎn)品描述:VS-GT75LA60UF 是 600V、81A、231W "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊,采用 SOT-227 封裝,底座安裝。VS-GT75LA60UF - 主要特性:溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)頻率高…VS-GT100LA65UF
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VCNL36828P - 采用 VCSEL、低空閑電流、I2C 接口和智能雙從屬地址的小型封裝接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36828P 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封…電話咨詢:86-755-83294757
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