商品名稱:NVMFS5C406NWFT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFS5C406NWFT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFNW
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVMFS5C406NWFT1G是采用先進的功率溝槽工藝(結合屏蔽柵極技術)生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低導通電阻,另外還采用出色的軟體二極管,可保持卓越的開關性能。采用各種小尺寸封裝選項,可提高設計靈活性。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):52A(Ta),353A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):0.8 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 280μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):110 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7288 pF @ 20 V
功率耗散(最大值):3.9W(Ta),179W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側翼
供應商器件封裝:5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
應用
● ORing
● 電機驅動器
● 直流-直流轉換器
● 功率負載開關
● 電池管理
● 高端計算
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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